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NXV65HR82DS1
Bipolar (BJT) Single Transistor, N Channel, 26 A, 650 V, 0.082 ohm, 10 V, 5 V
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXV65HR82DS1
Código Newark32AJ8465
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.073ohm
Drain Source On State Resistance0.082ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd126W
Power Dissipation126W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
26A
On Resistance Rds(on)
0.073ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
126W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.082ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
126W
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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