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NXH200B100H4F2SG
IGBT Module, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Module
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH200B100H4F2SG
Código Newark29AK2758
Gama de produtosEliteSiC Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 149.610 |
| 5+ | $ 146.720 |
| 10+ | $ 143.830 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 149.61
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH200B100H4F2SG
Código Newark29AK2758
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
IGBT ConfigurationPIM
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation93W
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationSolder Pin
Collector Emitter Voltage Max1kV
IGBT TechnologyIGBT 6 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
PIM
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Solder Pin
IGBT Technology
IGBT 6 [Trench/Field Stop]
Product Range
EliteSiC Series
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
93W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jan-2018)
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