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NXH100B120H3Q0SG
IGBT Module, Dual, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Module
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH100B120H3Q0SG
Código Newark29AK2757
Gama de produtosEliteSiC Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 68.050 |
| 5+ | $ 61.910 |
| 10+ | $ 55.770 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 68.05
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH100B120H3Q0SG
Código Newark29AK2757
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
IGBT ConfigurationDual
Continuous Collector Current61A
DC Collector Current61A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.77V
Collector Emitter Saturation Voltage1.77V
Power Dissipation186W
Power Dissipation Pd186W
Junction Temperature, Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Dual
DC Collector Current
61A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.77V
Power Dissipation Pd
186W
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Solder
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Continuous Collector Current
61A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.77V
Power Dissipation
186W
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
IGBT Technology
IGBT [Trench/Field Stop]
Product Range
EliteSiC Series
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto