Imprimir página
NXH011T120M3F2PTHG
SIL CARB MOSFET, HALF BRIDGE, N CHANNEL
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH011T120M3F2PTHGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark86AK5889
Seu número de peça
35 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 116.400 |
| 5+ | $ 116.390 |
| 10+ | $ 116.380 |
| 40+ | $ 115.120 |
| 60+ | $ 113.860 |
| 100+ | $ 112.600 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 116.40
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH011T120M3F2PTHGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark86AK5889
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id91A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.016ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins29Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation272W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
91A
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
No. of Pins
29Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
272W
Product Range
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jan-2018)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto