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NXH006P120M3F2PTHG
SIL CARB MOSFET, HALF BRIDGE, N CHANNEL
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH006P120M3F2PTHGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark08AM4242
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH006P120M3F2PTHGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark08AM4242
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id191A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance8000µohm
Transistor Case StylePIM
No. of Pins36Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation556W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
191A
Drain Source On State Resistance
8000µohm
No. of Pins
36Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
PIM
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
556W
Product Range
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
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