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NXH004P120M3F2PTHG
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 284 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH004P120M3F2PTHGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark94AK7564
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 192.670 |
| 5+ | $ 184.630 |
| 10+ | $ 176.580 |
| 40+ | $ 168.540 |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH004P120M3F2PTHGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark94AK7564
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id284A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0055ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins36Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation785W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
284A
Drain Source On State Resistance
0.0055ohm
No. of Pins
36Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
785W
Product Range
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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