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NVMTS1D0N04CLTXG
MOSFET, N-CH, 40V, 291A, TDFNW
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVMTS1D0N04CLTXGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rolo completo81AJ0322
Rodo à Medida81AK4263RL
Segmento de fita81AK4263
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 6.940 | $ 6.94 |
| Total Preço | $ 6.94 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.940 |
| 10+ | $ 4.670 |
| 25+ | $ 4.230 |
| 50+ | $ 3.800 |
| 100+ | $ 3.370 |
| 250+ | $ 3.250 |
| 500+ | $ 3.140 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 2.680 |
| 5000+ | $ 2.600 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVMTS1D0N04CLTXGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rolo completo81AJ0322
Rodo à Medida81AK4263RL
Segmento de fita81AK4263
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id291A
Drain Source On State Resistance1000µohm
Transistor Case StyleTDFNW
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation153W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
291A
Transistor Case Style
TDFNW
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
153W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
1000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Alternativas para NVMTS1D0N04CLTXG
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jan-2018)
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