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NVMFWS0D63N04XMT1G
MOSFET, N-CH, 40V, 384A, WFDFN
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVMFWS0D63N04XMT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rodo à Medida51AM2190RL
Segmento de fita51AM2190
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 21 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.780 | $ 3.78 |
| Total Preço | $ 3.78 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.780 |
| 10+ | $ 2.480 |
| 25+ | $ 2.240 |
| 50+ | $ 1.990 |
| 100+ | $ 1.740 |
| 250+ | $ 1.640 |
| 500+ | $ 1.520 |
| 1000+ | $ 1.420 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVMFWS0D63N04XMT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rodo à Medida51AM2190RL
Segmento de fita51AM2190
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id384A
Drain Source On State Resistance600µohm
Transistor Case StyleWFDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation157W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
384A
Transistor Case Style
WFDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
157W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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