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NVHL080N120SC1A
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVHL080N120SC1A
Código Newark82AH7673
Gama de produtosEliteSiC Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVHL080N120SC1A
Código Newark82AH7673
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id31A
On Resistance Rds(on)0.08ohm
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Power Dissipation Pd178W
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation178W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Channel Type
N Channel
On Resistance Rds(on)
0.08ohm
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Power Dissipation Pd
178W
Power Dissipation
178W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
Lead
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
31A
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto