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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVH4L012N065M3SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante101 semanas
Código Newark11AN7179
Gama de produtosEliteSiC Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 101 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 17.790 |
| 10+ | $ 16.630 |
| 25+ | $ 16.160 |
| 50+ | $ 14.580 |
| 100+ | $ 13.740 |
| 250+ | $ 12.070 |
| 500+ | $ 11.680 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 17.79
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVH4L012N065M3SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante101 semanas
Código Newark11AN7179
Gama de produtosEliteSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id102A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.017ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation375W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (05-Nov-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
102A
Drain Source On State Resistance
0.017ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (05-Nov-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
375W
Product Range
EliteSiC Series
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (05-Nov-2025)
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