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NVBG022N120M3S-IE
SIC MOSFET, N-CH, 100A, 1.2KV, D2PAK-7
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVBG022N120M3S-IECópia
Prazo de entrega padrão do fabricante4 semanas
Código Newark11AN7162
Gama de produtosEliteSiC Series
Seu número de peça
800 Em Estoque
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 28.400 |
| 50+ | $ 19.920 |
| 100+ | $ 19.520 |
| 250+ | $ 19.120 |
| 500+ | $ 18.720 |
| 1000+ | $ 18.330 |
| 2500+ | $ 17.930 |
| 5000+ | $ 17.530 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 28.40
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVBG022N120M3S-IECópia
Prazo de entrega padrão do fabricante4 semanas
Código Newark11AN7162
Gama de produtosEliteSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleD2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.72V
Power Dissipation441W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.72V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
D2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
441W
Product Range
EliteSiC Series
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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