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NTTFSSH0D7N02X
MOSFET, N-CH, 25V, 310A, WDFN
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTTFSSH0D7N02XCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark51AM2184
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.960 |
| 10+ | $ 1.880 |
| 25+ | $ 1.690 |
| 50+ | $ 1.480 |
| 100+ | $ 1.290 |
| 250+ | $ 1.180 |
| 500+ | $ 1.070 |
| 1000+ | $ 0.997 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.96
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTTFSSH0D7N02XCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark51AM2184
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id310A
Drain Source On State Resistance580µohm
Transistor Case StyleWDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation87W
No. of Pins9Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
310A
Transistor Case Style
WDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
87W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
580µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
9Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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