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NTTFSSCH4D0N08XLTWG
MOSFET, N-CH, 80V, 107A, WDFN
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTTFSSCH4D0N08XLTWGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rodo à Medida06AN0863RL
Segmento de fita06AN0863
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.540 | $ 2.54 |
| Total Preço | $ 2.54 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.540 |
| 10+ | $ 1.630 |
| 25+ | $ 1.450 |
| 50+ | $ 1.290 |
| 100+ | $ 1.110 |
| 250+ | $ 0.998 |
| 500+ | $ 0.887 |
| 1000+ | $ 0.815 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTTFSSCH4D0N08XLTWGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rodo à Medida06AN0863RL
Segmento de fita06AN0863
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id107A
Drain Source On State Resistance0.0036ohm
Transistor Case StyleWDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation102W
No. of Pins9Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
107A
Transistor Case Style
WDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
102W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0036ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
9Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto