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NTTFS4D9N04XMTAG
MOSFET, N-CH, 40V, 65A, WDFN
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTTFS4D9N04XMTAGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida51AM2187RL
Segmento de fita51AM2187
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.040 | $ 1.04 |
| Total Preço | $ 1.04 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.040 |
| 10+ | $ 0.651 |
| 25+ | $ 0.576 |
| 50+ | $ 0.501 |
| 100+ | $ 0.425 |
| 250+ | $ 0.377 |
| 500+ | $ 0.329 |
| 1000+ | $ 0.303 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTTFS4D9N04XMTAGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida51AM2187RL
Segmento de fita51AM2187
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id65A
Drain Source On State Resistance4900µohm
Transistor Case StyleWDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation38W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
65A
Transistor Case Style
WDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
38W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
4900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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