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| Quantidade | Preço |
|---|---|
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Vários: 3000
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTR2101PT1G
Código Newark94W9129
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id3.7A
Drain Source On State Resistance0.052ohm
On Resistance Rds(on)0.039ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd960mW
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation960mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.7A
On Resistance Rds(on)
0.039ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
960mW
Power Dissipation
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para NTR2101PT1G
1 produto encontrado
Produtos associados
7 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Rastreabilidade de produtos
