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NTMFS10N7D2C
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTMFS10N7D2C
Código Newark
Rolo completo24AC9573
Rodo à Medida22AC8496
Segmento de fita22AC8496
Gama de produtosPowerTrench Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.420 | $ 4.42 |
| Total Preço | $ 4.42 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.420 |
| 10+ | $ 2.910 |
| 25+ | $ 2.630 |
| 50+ | $ 2.350 |
| 100+ | $ 2.060 |
| 250+ | $ 1.980 |
| 500+ | $ 1.880 |
| 1000+ | $ 1.780 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 1.880 |
| 6000+ | $ 1.750 |
| 12000+ | $ 1.630 |
| 18000+ | $ 1.570 |
| 30000+ | $ 1.540 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTMFS10N7D2C
Código Newark
Rolo completo24AC9573
Rodo à Medida22AC8496
Segmento de fita22AC8496
Gama de produtosPowerTrench Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id78A
On Resistance Rds(on)0.0059ohm
Drain Source On State Resistance0.0072ohm
Transistor Case StylePower 56
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd83W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench Series
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
NTMFS10N7D2C is a power trench, N‐channel, shielded gate MOSFET. This N-channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode. Application includes primary DC−DC MOSFET, synchronous rectifier in DC−DC and AC−DC, motor drive and solar.
- Lowers switching noise/EMI
- 100% UIL tested
- Drain to source voltage is 100V (TA = 25°C)
- 50% lower Qrr than other MOSFET suppliers
- Gate to source voltage is ±20V (TA = 25°C)
- Drain current is 78A (continuous, TC = 25°C)
- Single pulse avalanche energy is 216mJ (TC = 25°C)
- Power dissipation is 83W (TC = 25°C)
- Turn-on delay time is 13ns (typ, VDD = 50V, ID = 28A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm,TJ = 25°C)
- PQFN8 package, operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0059ohm
Transistor Case Style
Power 56
Power Dissipation Pd
83W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
PowerTrench Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
78A
Drain Source On State Resistance
0.0072ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para NTMFS10N7D2C
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos