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NTH4L013N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 151 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTH4L013N120M3SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante8 semanas
Código Newark08AM4237
Gama de produtosEliteSiC Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 40.530 |
| 5+ | $ 36.930 |
| 10+ | $ 33.320 |
| 25+ | $ 33.300 |
| 50+ | $ 33.290 |
| 100+ | $ 33.270 |
| 250+ | $ 33.250 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTH4L013N120M3SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante8 semanas
Código Newark08AM4237
Gama de produtosEliteSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id151A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation682W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
151A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
682W
Product Range
EliteSiC Series
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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