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NTD2955T4G.
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 12 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.660 |
| 5000+ | $ 0.643 |
| 10000+ | $ 0.631 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 2500
Vários: 2500
$ 1,650.00
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTD2955T4G.Cópia
Código Newark26AC2746
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id12A
On Resistance Rds(on)0.155ohm
Drain Source On State Resistance0.155ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd55W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation55W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.155ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
55W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.155ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
55W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para NTD2955T4G.
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Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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