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NTBL075N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 37 A, 650 V, 85 mohm, H-PSOF
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTBL075N065SC1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rodo à Medida08AM4234RL
Segmento de fita08AM4234
Gama de produtosEliteSiC Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 8.690 | $ 8.69 |
| Total Preço | $ 8.69 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 8.690 |
| 50+ | $ 4.730 |
| 100+ | $ 4.350 |
| 250+ | $ 4.330 |
| 500+ | $ 4.310 |
| 1000+ | $ 4.220 |
| 2500+ | $ 4.140 |
| 5000+ | $ 4.050 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTBL075N065SC1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rodo à Medida08AM4234RL
Segmento de fita08AM4234
Gama de produtosEliteSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id37A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance85mohm
Transistor Case StyleH-PSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation139W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
37A
Drain Source On State Resistance
85mohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
H-PSOF
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
139W
Product Range
EliteSiC Series
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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