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NTBG030N120M3S
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 77A, D2PAK-7L
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTBG030N120M3SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida80AK5047RL
Segmento de fita80AK5047
Gama de produtosEliteSiC Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 13.130 | $ 13.13 |
| Total Preço | $ 13.13 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 13.130 |
| 10+ | $ 12.280 |
| 25+ | $ 11.530 |
| 50+ | $ 10.830 |
| 100+ | $ 10.130 |
| 250+ | $ 9.610 |
| 500+ | $ 9.190 |
| 1000+ | $ 8.860 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTBG030N120M3SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida80AK5047RL
Segmento de fita80AK5047
Gama de produtosEliteSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id77A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.029ohm
Transistor Case StyleD2PAK-7L
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation348W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
77A
Drain Source On State Resistance
0.029ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
D2PAK-7L
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
348W
Product Range
EliteSiC Series
Alternativas para NTBG030N120M3S
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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