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MMBT5179
Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMMBT5179
Código Newark
Rodo à Medida31Y2780
Segmento de fita31Y2780
Seu número de peça
Ficha técnica
11,572 Em Estoque
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11197 Entrega em 2-4 Dias Úteis(UK estoque)
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Opções de embalagem
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.080 |
| 10+ | $ 0.050 |
| 25+ | $ 0.043 |
| 50+ | $ 0.040 |
| 100+ | $ 0.036 |
| 250+ | $ 0.033 |
| 500+ | $ 0.030 |
| 1000+ | $ 0.029 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMMBT5179
Código Newark
Rodo à Medida31Y2780
Segmento de fita31Y2780
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo12V
Collector Emitter Voltage Max12V
Transition Frequency2GHz
Power Dissipation Pd225mW
Power Dissipation225mW
Continuous Collector Current50mA
DC Collector Current50mA
Transistor Case StyleSOT-23
DC Current Gain hFE25hFE
No. of Pins3Pins
RF Transistor CaseSOT-23
DC Current Gain hFE Min25hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
12V
Power Dissipation Pd
225mW
Continuous Collector Current
50mA
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
25hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
12V
Transition Frequency
2GHz
Power Dissipation
225mW
DC Collector Current
50mA
DC Current Gain hFE
25hFE
RF Transistor Case
SOT-23
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Alternativas para MMBT5179
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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