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MMBFJ175LT1G.
JFET Transistor, Junction Field Effect, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.124 |
| 6000+ | $ 0.109 |
| 12000+ | $ 0.097 |
| 18000+ | $ 0.090 |
| 30000+ | $ 0.082 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 3000
Vários: 3000
$ 372.00
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMMBFJ175LT1G.
Código Newark27AC9075
Ficha técnica
Breakdown Voltage Vbr30V
Gate Source Breakdown Voltage Max30V
Zero Gate Voltage Drain Current Max60mA
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min7mA
Gate Source Cutoff Voltage Max6V
Transistor Case StyleSOT-23
Operating Temperature Max150°C
Transistor TypeJFET
No. of Pins3 Pin
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Breakdown Voltage Vbr
30V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
60mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
6V
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
3 Pin
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Gate Source Breakdown Voltage Max
30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
7mA
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Type
JFET
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Produtos associados
8 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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