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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.272 |
| 25+ | $ 0.170 |
| 50+ | $ 0.141 |
| 100+ | $ 0.111 |
| 250+ | $ 0.098 |
| 500+ | $ 0.085 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.27
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMMBF170LT1G
Código Newark88H4781
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance5ohm
On Resistance Rds(on)5ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd225mW
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation225mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para MMBF170LT1G
2 produtos encontrados
Descrição geral do produto
The MMBF170LT1G is a N-channel Power MOSFET with drain source voltage at 60VDC and drain current at 500mA.
- AEC-Q101 Qualified
- PPAP capable
Aplicações
Automotive
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
225mW
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
On Resistance Rds(on)
5ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
225mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
6 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
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