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MMBF170
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.345 |
| 25+ | $ 0.215 |
| 50+ | $ 0.178 |
| 100+ | $ 0.141 |
| 250+ | $ 0.125 |
| 500+ | $ 0.108 |
| 1000+ | $ 0.097 |
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Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.34
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMMBF170
Código Newark58K9427
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance5ohm
On Resistance Rds(on)5ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd300mW
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation300mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The MMBF170 is a surface mount, N channel enhancement mode field effect transistors in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been especially tailored to minimize the onstate resistance and provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- High density cell design for low Rds(ON)
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
- High saturation current capability
- Drain to source voltage (Vds) of 60V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of 500mA
- Power dissipation (Pd) of 300mW
- Low on state resistance of 1.2ohm at Vgs 10V
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
300mW
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
On Resistance Rds(on)
5ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para MMBF170
3 produtos encontrados
Produtos associados
6 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos