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MMBF102
JFET Transistor, Junction Field Effect, -25 V, 20 mA, -8 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 6 Semana(s)
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMMBF102
Código Newark18C7360
Ficha técnica
Gate Source Breakdown Voltage Max-25V
Breakdown Voltage Vbr-25V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min-
Zero Gate Voltage Drain Current Max20mA
Gate Source Cutoff Voltage Max-8V
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor TypeRF FET
No. of Pins3 Pin
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (14-Jun-2023)
Especificações Técnicas
Gate Source Breakdown Voltage Max
-25V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
-
Gate Source Cutoff Voltage Max
-8V
Transistor Type
RF FET
Channel Type
N Channel
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (14-Jun-2023)
Breakdown Voltage Vbr
-25V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
20mA
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3 Pin
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
MSL
-
Documentação técnica (1)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (14-Jun-2023)
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Certificado de conformidade do produto