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FQD8P10TM
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQD8P10TM
Código Newark
Rolo completo82C4091
Rodo à Medida31Y1531
Segmento de fita31Y1531
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.310 | $ 6.55 |
| Total Preço | $ 6.55 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.310 |
| 10+ | $ 0.857 |
| 25+ | $ 0.771 |
| 50+ | $ 0.684 |
| 100+ | $ 0.598 |
| 250+ | $ 0.543 |
| 500+ | $ 0.487 |
| 1000+ | $ 0.451 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.459 |
| 3000+ | $ 0.451 |
| 6000+ | $ 0.424 |
| 12000+ | $ 0.403 |
| 18000+ | $ 0.382 |
| 30000+ | $ 0.370 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQD8P10TM
Código Newark
Rolo completo82C4091
Rodo à Medida31Y1531
Segmento de fita31Y1531
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id6.6A
Drain Source On State Resistance0.53ohm
On Resistance Rds(on)0.41ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd44W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation44W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FQD8P10TM is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% avalanche tested
- 12nC typical low gate charge
- 30pF typical low Crss
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.53ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Power Dissipation Pd
44W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
6.6A
On Resistance Rds(on)
0.41ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
44W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para FQD8P10TM
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos