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FQB47P06TM-AM002
MOSFET, P-CH, -60V, 47A, 175DEG C, 160W
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQB47P06TM-AM002
Código Newark
Rolo completo48AC1170
Rodo à Medida61M6403
Segmento de fita61M6403
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.610 | $ 5.61 |
| Total Preço | $ 5.61 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.610 |
| 10+ | $ 3.920 |
| 25+ | $ 3.600 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.720 |
| 3000+ | $ 2.630 |
| 6000+ | $ 2.500 |
| 12000+ | $ 2.370 |
| 18000+ | $ 2.300 |
| 30000+ | $ 2.270 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQB47P06TM-AM002
Código Newark
Rolo completo48AC1170
Rodo à Medida61M6403
Segmento de fita61M6403
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id47A
On Resistance Rds(on)0.026ohm
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage-10V
Power Dissipation Pd160W
Gate Source Threshold Voltage Max-4V
Power Dissipation160W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FQB47P06TM_AM002 is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% avalanche tested
- 84nC typical low gate charge
- 320pF typical low Crss
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.026ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
-10V
Gate Source Threshold Voltage Max
-4V
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
47A
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
160W
Power Dissipation
160W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FQB47P06TM-AM002
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos