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FQB22P10TM
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQB22P10TMCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark
Rolo completo34C0399
Rodo à Medida15R3441RL
Segmento de fita15R3441
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 800 | $ 1.410 | $ 1,128.00 |
| Total Preço | $ 1,128.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 800+ | $ 1.410 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.400 |
| 3000+ | $ 1.330 |
| 6000+ | $ 1.280 |
| 12000+ | $ 1.180 |
| 18000+ | $ 1.150 |
| 30000+ | $ 1.120 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQB22P10TMCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark
Rolo completo34C0399
Rodo à Medida15R3441RL
Segmento de fita15R3441
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id22A
Drain Source On State Resistance0.125ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation3.75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The FQB22P10TM is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% Avalanche tested
- 40nC Typical low gate charge
- 160pF Typical low Crss
Aplicações
Power Management, Audio, Motor Drive & Control
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
22A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.75W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Alternativas para FQB22P10TM
1 produto encontrado
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto