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FQA8N100C
MOSFET, N CH, 1KV, 8A, TO-3PN-3
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| 50+ | $ 3.960 |
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| 250+ | $ 3.810 |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQA8N100C
Código Newark31Y1509
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id8A
On Resistance Rds(on)1.2ohm
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleTO-3PN
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd225W
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation225W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FQA8N100C is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- Low gate charge (53nC)
- Low Crss (16pF)
- 100% avalanche tested
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
On Resistance Rds(on)
1.2ohm
Transistor Case Style
TO-3PN
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
225W
Power Dissipation
225W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos