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FDT86102LZ
MOSFET, N-CH, 100V, 6.6A, 150DEG C, 2.2W
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDT86102LZ
Código Newark
Rolo completo86AK4982
Rodo à Medida88T3368
Segmento de fita88T3368
Gama de produtosPowerTrench
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.590 | $ 7.95 |
| Total Preço | $ 7.95 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.590 |
| 25+ | $ 1.000 |
| 50+ | $ 0.834 |
| 100+ | $ 0.665 |
| 250+ | $ 0.593 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 4000+ | $ 0.565 |
| 8000+ | $ 0.525 |
| 16000+ | $ 0.485 |
| 24000+ | $ 0.472 |
| 40000+ | $ 0.464 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDT86102LZ
Código Newark
Rolo completo86AK4982
Rodo à Medida88T3368
Segmento de fita88T3368
Gama de produtosPowerTrench
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id6.6A
Drain Source On State Resistance0.028ohm
On Resistance Rds(on)0.022ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.2W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation2.2W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
This N Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advance PowerTrench® process that has been especially tailored to minimise the on state resistance and switch loss. G-S Zener has been added to enhance ESD voltage levels.
- Suitable for DC/DC conversion, inverter and synchronous rectifier
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Power Dissipation Pd
2.2W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
PowerTrench
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.6A
On Resistance Rds(on)
0.022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDT86102LZ
2 produtos encontrados
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Rastreabilidade de produtos