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FDS89141
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS89141
Código Newark
Rolo completo27T6448
Rodo à Medida88T3365
Segmento de fita88T3365
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 4.440 | $ 22.20 |
| Total Preço | $ 22.20 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.440 |
| 10+ | $ 3.030 |
| 25+ | $ 2.790 |
| 50+ | $ 2.540 |
| 100+ | $ 2.300 |
| 250+ | $ 2.140 |
| 500+ | $ 1.980 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.160 |
| 3000+ | $ 2.060 |
| 6000+ | $ 1.980 |
| 12000+ | $ 1.830 |
| 18000+ | $ 1.780 |
| 30000+ | $ 1.730 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS89141
Código Newark
Rolo completo27T6448
Rodo à Medida88T3365
Segmento de fita88T3365
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Continuous Drain Current Id3.5A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel3.5A
Continuous Drain Current Id P Channel3.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.047ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.047ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel31W
Power Dissipation P Channel31W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDS89141 is a dual N-channel shielded gate MOSFET produced using advanced PowerTrench® process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for RDS (ON), switching performance and ruggedness. The device is suitable for use with synchronous rectifier and primary switch for bridge topology applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- ±20V Gate to source voltage
- 3.5A Continuous drain current
- 18A Pulsed drain current
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.047ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
31W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.047ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
31W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para FDS89141
1 produto encontrado
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos