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FDS5670
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS5670Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante33 semanas
Código Newark
Rolo completo67R2071
Segmento de fita78K5934
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 2500 | $ 1.440 | $ 3,600.00 |
| Total Preço | $ 3,600.00 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 1.440 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.896 |
| 5000+ | $ 0.893 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS5670Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante33 semanas
Código Newark
Rolo completo67R2071
Segmento de fita78K5934
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id10A
On Resistance Rds(on)0.014ohm
Drain Source On State Resistance0.014ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Descrição geral do produto
The FDS5670 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Alternativas para FDS5670
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (10-Jun-2022)
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Certificado de conformidade do produto
