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FDS4559
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS4559
Código Newark
Rolo completo67R2069
Segmento de fita34C0166
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.220 | $ 1.22 |
| Total Preço | $ 1.22 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.220 |
| 10+ | $ 1.020 |
| 25+ | $ 0.914 |
| 50+ | $ 0.826 |
| 100+ | $ 0.725 |
| 250+ | $ 0.651 |
| 500+ | $ 0.541 |
| 1000+ | $ 0.523 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.541 |
| 3000+ | $ 0.531 |
| 6000+ | $ 0.499 |
| 12000+ | $ 0.474 |
| 18000+ | $ 0.450 |
| 30000+ | $ 0.435 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS4559
Código Newark
Rolo completo67R2069
Segmento de fita34C0166
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.055ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.105ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para FDS4559
1 produto encontrado
Descrição geral do produto
The FDS4559 is a complementary MOSFET device is produced using advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Suitable for LCD backlight inverter.
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.105ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.055ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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