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Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 47 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.430 |
| 3000+ | $ 1.360 |
| 6000+ | $ 1.310 |
| 12000+ | $ 1.210 |
| 18000+ | $ 1.170 |
| 30000+ | $ 1.140 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 2500
Vários: 2500
$ 3,575.00
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS2672
Código Newark20M1182
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id3.9A
On Resistance Rds(on)0.059ohm
Drain Source On State Resistance70mohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDS2672 is a single N-channel MOSFET produced using advanced UItraFET Trench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.059ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.9A
Drain Source On State Resistance
70mohm
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDS2672
1 produto encontrado
Produtos associados
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Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
