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FDP8870
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 156 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDP8870Cópia
Código Newark60J0601
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id156A
Drain Source On State Resistance0.0034ohm
On Resistance Rds(on)0.0034ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd160W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Transistor Case StyleTO-220AB
Power Dissipation160W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Alternativas para FDP8870
1 produto encontrado
Descrição geral do produto
The FDP8870 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handing capability
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0034ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220AB
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
156A
On Resistance Rds(on)
0.0034ohm
Power Dissipation Pd
160W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
160W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto
