Imprimir página
FDN336P
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1.2 A, 0.2 ohm, SuperSOT, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDN336PCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rolo completo23K1650
Segmento de fita58K1463
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 12 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 0.197 | $ 591.00 |
| Total Preço | $ 591.00 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.197 |
| 9000+ | $ 0.193 |
| 15000+ | $ 0.189 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.158 |
| 9000+ | $ 0.144 |
| 15000+ | $ 0.141 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDN336PCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rolo completo23K1650
Segmento de fita58K1463
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.2A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
On Resistance Rds(on)0.122ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd500mW
Transistor Case StyleSuperSOT
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDN336P is a 2.5V specified P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion. The SuperSOT™-3 provides low RDS (ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- 3.6nC typical low gate charge
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
500mW
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.2A
On Resistance Rds(on)
0.122ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para FDN336P
1 produto encontrado
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos