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FDG6301N
MOSFET, ONSEMI FDG6301N
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDG6301NCópia
Código Newark
Rolo completo67R2047
Rodo à Medida61M6246RL
Segmento de fita61M6246
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDG6301NCópia
Código Newark
Rolo completo67R2047
Rodo à Medida61M6246RL
Segmento de fita61M6246
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id220mA
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds25V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel220mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel300mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para FDG6301N
2 produtos encontrados
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
220mA
Drain Source Voltage Vds
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
220mA
Drain Source On State Resistance N Channel
4ohm
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation N Channel
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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