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FDD86102
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 36A, TO252
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDD86102
Código Newark
Rolo completo92R5525
Rodo à Medida88T3247
Segmento de fita88T3247
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.010 | $ 3.01 |
| Total Preço | $ 3.01 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.010 |
| 10+ | $ 2.030 |
| 25+ | $ 1.850 |
| 50+ | $ 1.660 |
| 100+ | $ 1.480 |
| 250+ | $ 1.360 |
| 500+ | $ 1.240 |
| 1000+ | $ 1.170 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.300 |
| 3000+ | $ 1.260 |
| 6000+ | $ 1.170 |
| 12000+ | $ 1.080 |
| 18000+ | $ 1.050 |
| 30000+ | $ 1.030 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDD86102
Código Newark
Rolo completo92R5525
Rodo à Medida88T3247
Segmento de fita88T3247
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd62W
Gate Source Threshold Voltage Max3.1V
Power Dissipation62W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDD86102 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- Very low Qg and Qgd compared to competing Trench technologies
- Fast switching speed
- 100% UIL tested
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
62W
Power Dissipation
62W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Alternativas para FDD86102
2 produtos encontrados
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Rastreabilidade de produtos