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FDD7N20TM
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 5 A, 0.69 ohm, TO-252AA, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDD7N20TM
Código Newark
Rolo completo52M3161
Rodo à Medida31Y1361
Segmento de fita31Y1361
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.620 | $ 8.10 |
| Total Preço | $ 8.10 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.620 |
| 10+ | $ 1.060 |
| 25+ | $ 0.951 |
| 50+ | $ 0.844 |
| 100+ | $ 0.737 |
| 250+ | $ 0.668 |
| 500+ | $ 0.599 |
| 1000+ | $ 0.554 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.498 |
| 3000+ | $ 0.489 |
| 6000+ | $ 0.459 |
| 12000+ | $ 0.437 |
| 18000+ | $ 0.414 |
| 30000+ | $ 0.400 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDD7N20TM
Código Newark
Rolo completo52M3161
Rodo à Medida31Y1361
Segmento de fita31Y1361
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id5A
On Resistance Rds(on)0.58ohm
Drain Source On State Resistance0.69ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd43W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation43W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDD7N20TM is an UniFET™ N-channel high voltage MOSFET produced based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce ON-state resistance, provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
- 100% avalanche tested
- 5nC Typical low gate charge
- 5pF typical low Crss
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.58ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Power Dissipation Pd
43W
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
5A
Drain Source On State Resistance
0.69ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
43W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para FDD7N20TM
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos