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FDD3670
MOSFET, N-CH, 100V, 34A, TO-252-3
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDD3670
Código Newark
Rolo completo58K1433
Rodo à Medida31Y1354
Segmento de fita31Y1354
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 2.800 | $ 14.00 |
| Total Preço | $ 14.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.800 |
| 10+ | $ 1.880 |
| 25+ | $ 1.710 |
| 50+ | $ 1.530 |
| 100+ | $ 1.360 |
| 250+ | $ 1.250 |
| 500+ | $ 1.140 |
| 1000+ | $ 1.070 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.100 |
| 3000+ | $ 1.060 |
| 6000+ | $ 1.010 |
| 12000+ | $ 0.955 |
| 18000+ | $ 0.928 |
| 30000+ | $ 0.917 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDD3670
Código Newark
Rolo completo58K1433
Rodo à Medida31Y1354
Segmento de fita31Y1354
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source On State Resistance0.032ohm
On Resistance Rds(on)0.022ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd83W
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation83W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDD3670 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It features faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handing capability
- 57nC typical low gate charge
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
34A
On Resistance Rds(on)
0.022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
83W
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para FDD3670
3 produtos encontrados
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos