Imprimir página
FDC6561AN
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC6561AN
Código Newark
Rolo completo67R2043
Segmento de fita58K8828
Seu número de peça
2,749 Em Estoque
Precisa de mais?
Envio no mesmo dia
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.020 | $ 1.02 |
| Total Preço | $ 1.02 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.020 |
| 25+ | $ 0.648 |
| 50+ | $ 0.533 |
| 100+ | $ 0.417 |
| 250+ | $ 0.389 |
| 500+ | $ 0.361 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.287 |
| 6000+ | $ 0.284 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC6561AN
Código Newark
Rolo completo67R2043
Segmento de fita58K8828
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel2.5A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.082ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel960mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDC6561AN is a dual N-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for all applications where small size is desirable but especially DC-to-DC conversion in battery powered systems.
- Low gate charge
- Very fast switching
- Small footprint
- Low profile
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
2.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.082ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDC6561AN
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
