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FDC6310P
MOSFET, 2 P-CH, -20V, -2.2A, SOT-23-6
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC6310P
Código Newark
Rolo completo58K1418
Rodo à Medida31Y1345
Segmento de fita31Y1345
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.020 | $ 1.02 |
| Total Preço | $ 1.02 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.020 |
| 10+ | $ 0.623 |
| 25+ | $ 0.563 |
| 50+ | $ 0.504 |
| 100+ | $ 0.444 |
| 250+ | $ 0.393 |
| 500+ | $ 0.342 |
| 1000+ | $ 0.309 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.240 |
| 6000+ | $ 0.230 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDC6310P
Código Newark
Rolo completo58K1418
Rodo à Medida31Y1345
Segmento de fita31Y1345
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel2.2A
Continuous Drain Current Id P Channel2.2A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.125ohm
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel960mW
Power Dissipation P Channel960mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDC6310P is a dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive packages are impractical. It is suitable for use with load switch and battery protected applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.2A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.125ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
960mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
2.2A
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation N Channel
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para FDC6310P
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Rastreabilidade de produtos