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FDC6301N..

Name: ONSEMI FDC6301N..
Brand: ONSEMI
SKU: 47T5014
Availability: InStock

MOSFET, NN CHANNEL, 25V, 0.22A, SSOT6

Data e lote

A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

FabricanteONSEMI

Nº da peça do fabricanteFDC6301N..

Código Newark

Rolo completo85AC1769

Rodo à Medida47T5014

Segmento de fita47T5014

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Rolo completo

(Min: 3000 / Mult: 3000)

Rodo à Medida

(Min: 100 / Mult: 5)

Segmento de fita

(Min: 5 / Mult: 5)

Tipo de Embalagem	Quantidade	Preço unitário:	Total
Segmento de fita	5	$ 0.618	$ 3.09
Total Preço			$ 3.09

Segmento de fita & Rodo à Medida

Quantidade	Preço
1+	$ 0.618
10+	$ 0.379
25+	$ 0.334
50+	$ 0.287
100+	$ 0.242
250+	$ 0.213
500+	$ 0.183

Rolo completo

Quantidade	Preço
3000+	$ 0.158
6000+	$ 0.137
12000+	$ 0.123
18000+	$ 0.112
30000+	$ 0.103

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Informação do produto

FabricanteONSEMI

Nº da peça do fabricanteFDC6301N..

Código Newark

Rolo completo85AC1769

Rodo à Medida47T5014

Segmento de fita47T5014

Ficha técnica

Data Sheet

Channel TypeN Channel

Drain Source Voltage Vds N Channel25V

Continuous Drain Current Id220mA

Drain Source Voltage Vds25V

Drain Source Voltage Vds P Channel-

Continuous Drain Current Id N Channel220mA

Continuous Drain Current Id P Channel-

Drain Source On State Resistance N Channel5ohm

Drain Source On State Resistance P Channel-

Transistor Case StyleSuperSOT

No. of Pins6Pins

Power Dissipation N Channel900mW

Power Dissipation P Channel-

Operating Temperature Max150°C

Product Range-

Qualification-

MSLMSL 1 - Unlimited

SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)

Descrição geral do produto

The FDC6301N is a dual N-channel logic level enhancement-mode FET with high cell density and DMOS technology. It is very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors. Since bias resistors are not required, this N-channel FET's can replace several digital transistors, with a variety of bias resistors.

Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
Gate-source Zener for ESD ruggedness
-0.5 to 8V Gate to source voltage
0.22A Continuous drain/output current
0.5A Pulsed drain/output current

Aplicações

Industrial, Power Management

Especificações Técnicas

Channel Type

N Channel

Continuous Drain Current Id

220mA

Drain Source Voltage Vds P Channel

Continuous Drain Current Id P Channel

Drain Source On State Resistance P Channel

No. of Pins

6Pins

Power Dissipation P Channel

Product Range

MSL

MSL 1 - Unlimited

Drain Source Voltage Vds N Channel

25V

Drain Source Voltage Vds

25V

Continuous Drain Current Id N Channel

220mA

Drain Source On State Resistance N Channel

5ohm

Transistor Case Style

SuperSOT

Power Dissipation N Channel

900mW

Operating Temperature Max

150°C

Qualification

SVHC

No SVHC (25-Jun-2025)

Documentação técnica (2)

Technical Data Sheet EN

Alternativas para FDC6301N..

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Legislação e Ambiente

US ECCN:EAR99

EU ECCN:Unknown

Conformidade RoHS:Sim

RoHS

Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim