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FDB52N20TM
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 52 A, 0.049 ohm, TO-263AB, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDB52N20TM
Código Newark
Rolo completo86K1324
Segmento de fita67P3452
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 10 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 800 | $ 1.920 | $ 1,536.00 |
| Total Preço | $ 1,536.00 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 500+ | $ 1.920 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.910 |
| 3000+ | $ 1.830 |
| 6000+ | $ 1.750 |
| 12000+ | $ 1.620 |
| 18000+ | $ 1.580 |
| 30000+ | $ 1.530 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDB52N20TM
Código Newark
Rolo completo86K1324
Segmento de fita67P3452
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id52A
On Resistance Rds(on)0.041ohm
Drain Source On State Resistance0.049ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd357W
Transistor Case StyleTO-263AB
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation357W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The FDB52N20TM is an UniFET™ N-channel high voltage MOSFET produced based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce ON-state resistance, better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power and ATX.
- 100% avalanche tested
- 49nC typical low gate charge
- 66pF typical low Crss
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.041ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
357W
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
2Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
52A
Drain Source On State Resistance
0.049ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-263AB
Power Dissipation
357W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDB52N20TM
1 produto encontrado
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto