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BS170-D26Z
MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, 150DEG C, 0.83W
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteBS170-D26Z
Código Newark
Rolo completo48AC0674
Rodo à Medida31Y0564
Segmento de fita31Y0564
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.621 | $ 3.10 |
| Total Preço | $ 3.10 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.621 |
| 10+ | $ 0.393 |
| 25+ | $ 0.349 |
| 50+ | $ 0.305 |
| 100+ | $ 0.261 |
| 250+ | $ 0.233 |
| 500+ | $ 0.204 |
| 1000+ | $ 0.186 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.189 |
| 6000+ | $ 0.161 |
| 12000+ | $ 0.144 |
| 18000+ | $ 0.136 |
| 30000+ | $ 0.123 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteBS170-D26Z
Código Newark
Rolo completo48AC0674
Rodo à Medida31Y0564
Segmento de fita31Y0564
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id500mA
On Resistance Rds(on)1.2ohm
Drain Source On State Resistance5ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd830mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation830mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BS170_D26Z is a 60V N-channel enhancement mode Field Effect Transistor produced using high cell density, DMOS technology. This device has been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. This can be used in most applications requiring up to 500mA DC. It is particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications. This product is general usage and suitable for many different applications.
- High density cell design for low RDS (ON)
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
- High saturation current capability
- 60V drain gate voltage (VDGR)
- ±20V continuous gate source voltage (VGSS)
- 150°C/W thermal resistance, junction to ambient
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
1.2ohm
Transistor Case Style
TO-92
Power Dissipation Pd
830mW
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para BS170-D26Z
5 produtos encontrados
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Rastreabilidade de produtos