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BC857CDW1T1G
Bipolar Transistor Array, PNP
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 47 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.042 |
| 18000+ | $ 0.037 |
| 30000+ | $ 0.032 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 12000
Vários: 3000
$ 504.00
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteBC857CDW1T1G
Código Newark11J6887
Ficha técnica
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max45V
Continuous Collector Current100mA
Power Dissipation380mW
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleSOT-363
DC Current Gain hFE Min270hFE
No. of Pins6Pins
Qualification-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BC857CDW1T1G is a dual PNP general purpose Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Aplicações
Industrial, Power Management, Automotive
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
100mA
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
270hFE
Qualification
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max
45V
Power Dissipation
380mW
Transistor Case Style
SOT-363
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para BC857CDW1T1G
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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