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2N7002W
Power MOSFET, N Channel, 78 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricante2N7002W
Código Newark
Rolo completo10N3236
Rodo à Medida31Y5854
Segmento de fita31Y5854
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.389 | $ 0.39 |
| Total Preço | $ 0.39 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.389 |
| 10+ | $ 0.245 |
| 25+ | $ 0.217 |
| 50+ | $ 0.190 |
| 100+ | $ 0.162 |
| 250+ | $ 0.144 |
| 500+ | $ 0.125 |
| 1000+ | $ 0.112 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.092 |
| 12000+ | $ 0.082 |
| 18000+ | $ 0.078 |
| 30000+ | $ 0.070 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricante2N7002W
Código Newark
Rolo completo10N3236
Rodo à Medida31Y5854
Segmento de fita31Y5854
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds78V
Continuous Drain Current Id115mA
Drain Source On State Resistance13.5ohm
On Resistance Rds(on)2.53ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd200mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.76V
Power Dissipation200mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para 2N7002W
4 produtos encontrados
Descrição geral do produto
The 2N7002W is a N-channel enhancement-mode FET with low ON-resistance and low gate threshold voltage.
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- Ultra-small surface-mount package
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
78V
Drain Source On State Resistance
13.5ohm
Transistor Case Style
SOT-323
Power Dissipation Pd
200mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.76V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
115mA
On Resistance Rds(on)
2.53ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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