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2N7002DW
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricante2N7002DW
Código Newark
Rolo completo10N3235
Segmento de fita05R0387
Seu número de peça
15,337 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.497 | $ 0.50 |
| Total Preço | $ 0.50 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.497 |
| 25+ | $ 0.311 |
| 50+ | $ 0.262 |
| 100+ | $ 0.212 |
| 250+ | $ 0.189 |
| 500+ | $ 0.166 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.126 |
| 6000+ | $ 0.121 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricante2N7002DW
Código Newark
Rolo completo10N3235
Segmento de fita05R0387
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id115mA
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel115mA
Continuous Drain Current Id P Channel115mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.6ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.6ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel200mW
Power Dissipation P Channel200mW
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The 2N7002DW is an N-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor features low on-resistance, low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speed and low input/output leakage.
Aplicações
Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
115mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
115mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.6ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
200mW
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
115mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.6ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para 2N7002DW
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
