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2N5247
JFET Transistor, Junction Field Effect, -30 V, 24 mA, -8 V, TO-92, 3 Pin, 150 °C
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 21 Semana(s)
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricante2N5247
Código Newark58K2804
Ficha técnica
Breakdown Voltage Vbr-30V
Gate Source Breakdown Voltage Max-30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min8mA
Zero Gate Voltage Drain Current Max24mA
Gate Source Cutoff Voltage Max-8V
Transistor Case StyleTO-92
Transistor TypeRF FET
No. of Pins3 Pin
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Especificações Técnicas
Breakdown Voltage Vbr
-30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
8mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
-8V
Transistor Type
RF FET
Channel Type
N Channel
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Gate Source Breakdown Voltage Max
-30V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
24mA
Transistor Case Style
TO-92
No. of Pins
3 Pin
Transistor Mounting
Through Hole
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jan-2018)
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