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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.030 |
| 10+ | $ 1.360 |
| 25+ | $ 1.230 |
| 50+ | $ 1.100 |
| 100+ | $ 0.972 |
| 250+ | $ 0.890 |
| 500+ | $ 0.807 |
| 1000+ | $ 0.757 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.03
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTMYS014N06CLTWG
Código Newark39AH9063
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id36A
On Resistance Rds(on)0.0125ohm
Drain Source On State Resistance0.015ohm
Transistor Case StyleLFPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation37W
Power Dissipation Pd37W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0125ohm
Transistor Case Style
LFPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
37W
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
0.015ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
37W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
